The band gap energies for silicon and germanium photodiodes are 1.1 eV and 0.67 eV respectively. Their cut-off wavelengths respectively would beसिलिकॉन और जर्मेनियम फोटोडायोड के लिए बैंड अंतराल ऊर्जाएँ क्रमशः 1.1 eV और 0.67 eV हैं। उनके कट-ऑफ तरंगदैर्घ्य, क्रमशः, होंगे

1. A1127.27 nm, 1850.75 nm1127.27 नैनोमीटर, 1850.75 नैनोमीटर
2. B456.12 nm, 1127.27 nm456.12 नैनोमीटर, 1127.27 नैनोमीटर
3. C1315.45 nm, 1850.75 nm1315.45 नैनोमीटर, 1850.75 नैनोमीटर
4. DMore than one of the aboveउपर्युक्त में से एक से अधिक
5. ENone of the aboveउपर्युक्त में से कोई नहीं